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碳化硅型号
碳化硅型号
2022-08-12T02:08:47+00:00
SiC（碳化硅）功率器件分立式元器件罗姆半导体集团
SiC (碳化硅) 功率器件 产品系列 设计资源 Top SiC（碳化硅）功率器件 与传统的硅器件相比， 碳化硅（SiC）器件 由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经 碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。 此外，碳化硅（SiC）功率模块 RDS 从 529 mOhm到144 mOhm ，可针对不同的应 碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块英飞凌(infineon)官网 Infineon 我们不断在现有硅器件基础上进行碳化硅产品（包括沟槽技术领域革命性的CoolSiC™ MOSFET）的扩展。如今，英飞凌可提供业界最全面的功率产品组合，从超低压到高压功率器件等不一而足。碳化硅SiC器件英飞凌(Infineon)官网 Infineon
SiC（碳化硅）MOSFET产品结果罗姆半导体集
SiC (碳化硅) MOSFET 轻松 参数 产品概要 设计资源 Top SiC（碳化硅）MOSFET SiC MOSFET 原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。 低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和 东芝第3代碳化硅（SiC）MOSFET推出电压分别为650V和1200V的两款系列产品。 与第2代产品一样，东芝新一代MOSFET内置了与SiC MOSFET内部PN结二极管并联的SiC肖特 SiC MOSFET 东芝半导体存储产品中国官网碳化硅功率MOSFET：20 A、1700 V、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），N沟道，HiP247封装 SCTW100N65G2AG 汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 碳化硅（SiC）MOSFET: 相关产品 STMicroelectronics
碳化硅（SiC）MOSFET 意法半导体STMicroelectronics
借助sic mosfet，将创新宽带隙材料（wbg）的优势融入下一个设计。意法半导体的碳化硅mosfet具有650 v至2200 v的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的开关 碳化矽（英語： silicon carbide，carborundum ），化學式SiC，俗稱金剛砂，寶石名稱鑽髓，為矽與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化矽在大自然以莫桑石這種稀有的礦物的形 碳化矽 維基百科，自由的百科全書